当前位置 > 首页 > 国际新闻 > 正文

格罗方德开发出基于Arm的3D芯片,期望延长12nm工艺的寿命
  • 发布时间:2019-08-26
  • www.jsbq.org
  • Supernet我想昨天分享

    芯片封装一直是芯片制造的重要组成部分。传统的二维封装技术已经陷入瓶颈之后,半导体制造商已将注意力转向3D堆叠工艺。我们已经看到了很多3D NAND闪存,英特尔和AMD也宣布了对3D芯片的研究,现在Arm和GlobalFoundries已经加入了该领域。

    GlobalFoundries昨天宣布,它已开发出基于Arm的3D高密度测试芯片,该芯片将实现更高水平的性能和功耗。新芯片采用GF的12nm FinFET工艺制造,采用3D Arm网状互连技术,可以更直接地将数据路由到其他内核,最大限度地减少延迟,最终减少数据中心,边缘计算和高端消费者。应用延迟和更高的数据传输速度。

    Grofund表示,他们的方法可以实现每平方毫米多达100万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望延长12纳米工艺的使用寿命。其3D封装解决方案(F2F)不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成方法,而且还可以使用最佳生产节点进行制造,以实现更低延迟,更高带宽和更小功能。尺寸。

    由于12nm工艺更稳定,因此更容易在3D空间中开发芯片而无需担心新7nm工艺可能带来的所有问题。然而,台积电,三星和英特尔能够在比Grohefontein小得多的节点上开发3D芯片只是时间问题。

    收集报告投诉

    日期归档

    崇左新闻网 版权所有© www.jsbq.org 技术支持:崇左新闻网 | 网站地图